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1N6817R中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

1N6817R
廠商型號(hào)

1N6817R

功能描述

LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

文件大小

140.81 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

MICROSEMI

中文名稱

美高森美

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-11 16:15:00

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1N6817R規(guī)格書詳情

LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

100 Volts 25 Amps

特性 Features

? Tungsten schottky barrier

? Oxide passivated structure

? Guard ring protection for increased reverse energy capability

? Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

? Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

? Low package inductance

? Very low thermal resistance

? Available as standard polarity (strap is anode: 1N6817) and reverse polarity (strap is cathode: 1N6817R)

? TXV-level screening (MSASC25W100KV) or S-level (MSASC25W100KS) screening i.a.w. Microsemi internal procedure PS11.50 available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    1N6817R

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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2022+
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只做原裝支持實(shí)單,有單必成。
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道??商峁┐罅繋齑?詳
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