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1N6815R中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

1N6815R
廠商型號

1N6815R

功能描述

LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE

文件大小

76.45 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

MICROSEMI

中文名稱

美高森美

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 16:15:00

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1N6815R規(guī)格書詳情

特性 Features

? Tungsten/Platinum schottky barrier for very low VF

? Oxide passivated structure for very low leakage currents

? Guard ring protection for increased reverse energy capability

? Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

? Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

? Low package inductance

? Very low thermal resistance

? Available as standard polarity (strap is anode: 1N6815) and reverse

polarity (strap is cathode: 1N6815R)

? TXV-level (MSASC25H45KV) or S-level (MSASC25H45KS) screening

i.a.w. Microsemi Internal Procedure PS11.50 available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    1N6815R

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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