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30N06.

N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Logic-LevelGateDrive ?FastSwitching ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

30N06B

25A竊?0VN-CHANNELMOSFET

KIAKIA Semiconductor Technology

可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

30N06L

30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC30N06isalowvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,highe

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

30N06L

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

30N06L.

N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100%RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PowerSupply -SecondarySynchronousRectification ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

30N06-Q

N-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

30N06V-Q

N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC30N06V-QisalowvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

ACMS30N06D-HF

MOSFET

Features -Superlowgatecharge. -AEC-Q101Qualified. -Advancedhighcelldensitytench technology. -ExcellentCdv/dteffectdecline.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

ADM30N06E

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM30N06EusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

FQB30N06

60VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package Type：

    PDFN3*3

  • Configuration：

    Single

  • MOSFET Type：

    N

  • VDS(V)：

    60

  • VGS(V)：

    ±20

  • Vth typ.(V)：

    1.6

  • RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V：

    24

  • RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V：

    25

  • ID (A)：

    30

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多XR30N06D供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 14:01:00

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