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XR40N10

100V N-Ch MOSFET;

XNRUSEMIShenzhen Xinrui Semiconductor Technology Co. , Ltd.

新銳半導(dǎo)體深圳市新銳半導(dǎo)體科技有限公司

40N10

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

40N10

FastSwitching

FEATURES ?DrainCurrentID=40A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.04Ω(Max) ?FastSwitching APPLICATIONS ?Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

40N10

40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET

FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司

40N10B

40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET

FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司

40N10F

40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET

FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司

40N10H

40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET

FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司

CED40N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,37A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED40N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,37A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU40N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,37A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package Type：

    TO252

  • Configuration：

    Single

  • MOSFET Type：

    N

  • VDS(V)：

    100

  • VGS(V)：

    ±20

  • Vth typ.(V)：

    1.2

  • RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V：

    25

  • RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V：

    26

  • ID (A)：

    40A

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NK/南科功率
2025+
TO252
986966
國(guó)產(chǎn)
 詢價(jià)
XR
24+
CDIP
150
詢價(jià)
EXAR
23+
CDIP
89
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
EXAR/艾科嘉
2447
CDIP14
100500
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
 詢價(jià)
EXAR/艾科嘉
2450+
CDIP
6540
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢價(jià)
EXAR
8652
3
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣中!
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XYSEMI
2015+
S0T23-6
26998
專業(yè)代理LED背光驅(qū)動(dòng)IC,型號(hào)齊全,公司優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品
 詢價(jià)
XR
23+
DIP-8
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
原裝
24+
SOT23-6
3500
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
 詢價(jià)
EXAR
23+
NA
39960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
更多XR40N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 14:01:00

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