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AFGB20N60SFD

Usingnovelfield?stopIGBTtechnology

Features ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A ?HighInputImpedance ?FastSwitching ?AEC?Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

AFGB20N60SFD-BW

Usingnovelfield?stopIGBTtechnology

Features ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A ?HighInputImpedance ?FastSwitching ?AEC?Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

AIKB20N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIKP20N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlleddiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIKW20N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AOK20N60

600V,20AN-ChannelMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOK20N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.37Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOK20N60L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOK20N60L

600V,20AN-ChannelMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOT20N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Build-in Diode：

    Yes

  • Vce(max)@25℃：

    600

  • Ic(max)@25℃：

    40

  • Ic(max)@100℃：

    20

  • Icpuls(max)：

    60

  • Short-Circuit(uS)：

    10

  • PD(max)@25℃：

    166

  • VGE(max)：

    6.5

  • VGE(th)(typ)：

    5.2

  • VCE(sat)(typ)(Vge=15V)：

    1.7

  • VCE(sat)(max)(Vge=15V)：

    2

  • Vf(Typ)：

    1.8

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Xiner(芯能半導(dǎo)體)
2447
TO-247
105000
30個(gè)/管一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期
 詢價(jià)
XINER/芯能
23+
TO-247
7500
芯能全系列在售,終端可出樣品
 詢價(jià)
24+
N/A
47000
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
XINER/芯能
23+
TO-247
7500
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)
 詢價(jià)
XINER/芯能
24+
DIP
60000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Xiner
21+
TO-247
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
 詢價(jià)
芯能
2022+
NA
20000
原裝 渠道優(yōu)勢 實(shí)單聯(lián)系
 詢價(jià)
芯能
2022+
20000
優(yōu)勢渠道原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多XNS20N60T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 11:01:00

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