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AFGB20N60SFD-BW

Using novel field?stop IGBT technology

Features ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A ?HighInputImpedance ?FastSwitching ?AEC?Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

AIKB20N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIKP20N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlleddiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIKW20N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode

InfineonInfineon Technologies AG

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AOK20N60

600V,20AN-ChannelMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOK20N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.37Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOK20N60L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多AFGB20N60SFD-BW供應商 更新時間2025-7-29 15:27:00

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