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WSGPA01-V1-R1

10 W, 5 GHz, GaN on SiC General Purpose Power Amplifier

Description TheWSGPA01isaGaNonSiCDiscreteGeneralPurposeAmplifier(GPA)designedforapplicationsupto5GHz.Thedeviceoperatesfrom supplyvoltagesupto50VandcanachieveaP3dBof10W.Itishousedina3mmX4mmDFNpackage.Whileitisdesignedforcommunicationsinfrastru

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WSGPA01-V1-R1

10 W, 5 GHz, GaN on SiC General Purpose Power Amplifier; ? GaN on SiC HEMT technology\n? Operating frequency : up to 5 GHz\n? P3dB : up to 10 W\n? Supply voltage : up to 50 V\n? Pb-free and RoHS compliant\n;

GaN on SiC HEMT technologyOperating frequency : up to 5 GHzP3dB : up to 10 WSupply voltage : up to 50 VPb-free and RoHS compliant

MACOMTyco Electronics

瑪科姆技術方案控股有限公司

技術參數(shù)

  • 新設計推薦？：

    Yes

  • 技術：

    GaN on SiC

  • 頻率（最小值）：

    DC

  • 頻率（最大值）：

    5 GHz

  • P3dB 輸出功率：

    10 W

  • 增益：

    18 dB

  • 效率：

    19%

  • 工作電壓：

    48 V

  • 封裝類型：

    Surface Mount

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多WSGPA01-V1-R1供應商 更新時間2025-7-26 16:06:00

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