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W949D6DBHX數(shù)據(jù)手冊集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF

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廠商型號

W949D6DBHX

參數(shù)屬性

W949D6DBHX 封裝/外殼為60-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA

功能描述

低功耗雙存取同步動態(tài)隨機存取內存(Low Power DDR SDRAM)

封裝外殼

60-TFBGA

制造商

Winbond Winbond

中文名稱

華邦電子 華邦電子股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-7 19:17:00

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W949D6DBHX規(guī)格書詳情

描述 Description

This is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 4M words x 4 banks x 16bits

特性 Features

?Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V
? Data width: x16
? Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz
? Standard Self Refresh Mode
? PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
? Programmable output buffer driver strength
? Four internal banks for concurrent operation
? CAS Latency: 2 and 3
? Burst Length: 2、4 、8 and 16
? Operating Temperature Range: Extended (-25°C ~ 85°C), Industrial (-40°C ~ 85°C)
? Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
? Package:60VFBGA

技術參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號:

    W949D6DBHX5E TR

  • 制造商:

    Winbond Electronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術:

    SDRAM - 移動 LPDDR

  • 存儲容量:

    512Mb(32M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -25°C ~ 85°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    60-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    60-VFBGA(8x9)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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