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W949D6DBHX數(shù)據(jù)手冊集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF

廠商型號 |
W949D6DBHX |
參數(shù)屬性 | W949D6DBHX 封裝/外殼為60-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA |
功能描述 | 低功耗雙存取同步動態(tài)隨機存取內存(Low Power DDR SDRAM) |
封裝外殼 | 60-TFBGA |
制造商 | Winbond Winbond |
中文名稱 | 華邦電子 華邦電子股份有限公司 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-7 19:17:00 |
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W949D6DBHX規(guī)格書詳情
描述 Description
This is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 4M words x 4 banks x 16bits
特性 Features
?Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V
? Data width: x16
? Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz
? Standard Self Refresh Mode
? PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
? Programmable output buffer driver strength
? Four internal banks for concurrent operation
? CAS Latency: 2 and 3
? Burst Length: 2、4 、8 and 16
? Operating Temperature Range: Extended (-25°C ~ 85°C), Industrial (-40°C ~ 85°C)
? Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
? Package:60VFBGA
技術參數(shù)
- 產(chǎn)品編號:
W949D6DBHX5E TR
- 制造商:
Winbond Electronics
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
DRAM
- 技術:
SDRAM - 移動 LPDDR
- 存儲容量:
512Mb(32M x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
15ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度:
-25°C ~ 85°C(TC)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
60-TFBGA
- 供應商器件封裝:
60-VFBGA(8x9)
- 描述:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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2023+ |
BGA |
2742 |
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