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W949D2DBJX數(shù)據(jù)手冊集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
W949D2DBJX |
| 參數(shù)屬性 | W949D2DBJX 封裝/外殼為90-TFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA |
| 功能描述 | 低功耗雙存取同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存(Low Power DDR SDRAM) |
| 封裝外殼 | 90-TFBGA |
| 制造商 | Winbond Winbond |
| 中文名稱 | 華邦電子 華邦電子股份有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 23:00:00 |
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描述 Description
This is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 32bits
特性 Features
?Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V
? Data width: x32
? Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz
? Standard Self Refresh Mode
? PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
? Programmable output buffer driver strength
? Four internal banks for concurrent operation
? CAS Latency: 2 and 3
? Burst Length: 2、4 、8 and 16
? Operating Temperature Range: Extended (-25°C ~ 85°C), Industrial (-40°C ~ 85°C)
? Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
? Package:90VFBGA
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號：
W949D2DBJX5E TR
- 制造商：
Winbond Electronics
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
SDRAM - 移動 LPDDR
- 存儲容量：
512Mb（16M x 32）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
15ns
- 電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度：
-25°C ~ 85°C（TC）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
90-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
90-VFBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
WINBOND(華邦) |
24+ |
VFBGA90(8x13) |
7350 |
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詢價 | ||
WINBOND(華邦) |
2021+ |
VFBGA-90(8x13) |
499 |
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Winbond Electronics |
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Winbond Electronics |
22+ |
90VFBGA (8x13) |
9000 |
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詢價 | ||
WINBOND/華邦 |
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WINBOND(華邦) |
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Winbond |
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