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VSP009N06MS-G數(shù)據(jù)手冊Vergiga中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

VSP009N06MS-G

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名稱

威兆半導體 深圳市威兆半導體股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 12:00:00

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VSP009N06MS-G規(guī)格書詳情

描述 Description

N溝道增強型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技術制造,具有更低的導通損耗和開關損耗以及優(yōu)越的開關性能。該產品可廣泛應用于快充和無線充等領域。

特性 Features

1.VitoMOSⅡ 技術
2.極低的Qg
3.更低的導通損耗和開關損耗
4.100%雪崩測試
5.無鉛電鍍;符合 RoHS 標準

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :VSP009N06MS-G

  • 生產廠家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :60.00

  • BVGS[V]

    :20.00

  • Vth[V]_min

    :2.60

  • Vth[V]_max

    :3.60

  • ID[A]

    :55.00

  • RDS (on) Typ[Ω]@10V

    :7.50

  • RDS (on) Typ[Ω]@4.5V

    :12.50

  • RDS (on) Typ[Ω]@2.5V

    :-

  • RDS (on) Typ[Ω]@1.8V

    :-

  • Ciss

    :1170.00

  • Coss

    :585.00

  • Crss

    :20.00

  • Package

    :PDFN5X6

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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