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VSP007N04MS-G數(shù)據(jù)手冊(cè)Vergiga中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

VSP007N04MS-G

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名稱

威兆半導(dǎo)體 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 17:13:00

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VSP007N04MS-G規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技術(shù)制造,具有更低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗以及優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

特性 Features

1.VitoMOSⅡ 技術(shù)
2.極低的Qg
3.更低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗
4.100%雪崩測(cè)試

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :VSP007N04MS-G

  • 生產(chǎn)廠家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :40.00

  • bVGS[V]

    :20.00

  • vth_min

    :1.20

  • vth_max

    :2.30

  • ID[A]

    :80.00

  • PD[W]

    :36.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :3.40

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :5.10

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :0.00

  • Ciss

    :1300.00

  • Coss

    :465.00

  • Crss

    :50.00

  • Qg(10V)[nC]

    :27.00

  • Qg(4.5V)[nC]

    :14.00

  • Package

    :PDFN5x6

  • Technology

    :SGT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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