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VNV35NV04

OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION TheVNB35NV04,VNP35NV04,VNV35NV04,VNW35NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto25KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclamp

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04

MOSFET POWER 40V 30A PWRSO10;

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VNV35NV04

Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

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VNV35NV04-E

OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET; ? Linear current limitation\n? Thermal shutdown\n? Short circuit protection\n? Integrated clamp\n? Low current drawn from input pin? Diagnostic feedback through input pin\n? ESD protection\n? Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)\n? Compatible with standard Power MOSFET;

The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed inSTMicroelectronics?VIPower?M0-3 Technology, intended for replacementof standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.\n Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chipin harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the inputpin.\n

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VNV35NV04-E

OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET

Description TheVNB35NV04-E,VNP35NV04-EandVNV35NV04-EaremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronics?VIPower?M0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto25kHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltagecla

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04TR-E

OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET

Description TheVNB35NV04-E,VNP35NV04-EandVNV35NV04-EaremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronics?VIPower?M0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto25kHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltagecla

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV0413TR

MOSFET POWER 40V 30A PWRSO10;

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04-E

Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35NV04TR-E

Package：PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VNV35NV04

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器

  • 系列：

    OMNIFET II?, VIPower?

  • 包裝：

    管件

  • 開關(guān)類型：

    通用

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類型：

    N 通道

  • 接口：

    開/關(guān)

  • 電壓 - 負(fù)載：

    36V（最大）

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    30A

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    10 毫歐（最大）

  • 輸入類型：

    非反相

  • 故障保護(hù)：

    限流（固定），超溫，過壓

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    10-PowerSO

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10 裸露底部焊盤

  • 描述：

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多VNV35NV04供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 10:20:00

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