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VNS3NV04D-E集成電路(IC)的配電開關(guān)負載驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

VNS3NV04D-E
廠商型號

VNS3NV04D-E

參數(shù)屬性

VNS3NV04D-E 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的配電開關(guān)負載驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

功能描述

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

357.06 Kbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-5 23:01:00

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VNS3NV04D-E規(guī)格書詳情

描述 Description

The VNS3NV04D-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protects the chip in harsh environments.

Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

特性 Features

■ Linear current limitation

■ Thermal shut down

■ Short circuit protection

■ Integrated clamp

■ Low current drawn from input pin

■ Diagnostic feedback through input pin

■ Esd protection

■ Direct access to the gate of the power mosfet

(analog driving)

■ Compatible with standard power mosfet

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    VNS3NV04D-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 配電開關(guān),負載驅(qū)動器

  • 系列:

    OMNIFET II?, VIPower?

  • 包裝:

    管件

  • 開關(guān)類型:

    通用

  • 輸出數(shù):

    2

  • 比率 - 輸入:

    1:1

  • 輸出配置:

    低端

  • 輸出類型:

    N 通道

  • 接口:

    開/關(guān)

  • 電壓 - 負載:

    36V(最大)

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 電流 - 輸出(最大值):

    3.5A

  • 導(dǎo)通電阻(典型值):

    120 毫歐(最大)

  • 輸入類型:

    非反相

  • 故障保護:

    限流(固定),超溫,過壓

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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