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VNS1NV04DPTR-E集成電路(IC)的配電開關(guān)負載驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
VNS1NV04DPTR-E |
參數(shù)屬性 | VNS1NV04DPTR-E 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的配電開關(guān)負載驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO |
功能描述 | OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
封裝外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
383.42 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
24 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-7 23:00:00 |
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VNS1NV04DPTR-E規(guī)格書詳情
描述 Description
The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower? M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protects the chip in harsh environments.
? Linear current limitation
? Thermal shutdown
? Short circuit protection
? Integrated clamp
? Low current drawn from input pin
? Diagnostic feedback through input pin
? ESD protection
? Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving)
? Compatible with standard power mosfet
? In compliance with the 2002/95/EC european directive
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
VNS1NV04DPTR-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
集成電路(IC) > 配電開關(guān),負載驅(qū)動器
- 系列:
OMNIFET II?, VIPower?
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 開關(guān)類型:
通用
- 輸出數(shù):
2
- 比率 - 輸入:
1:1
- 輸出配置:
低端
- 輸出類型:
N 通道
- 接口:
開/關(guān)
- 電壓 - 負載:
36V(最大)
- 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):
不需要
- 電流 - 輸出(最大值):
1.7A
- 導(dǎo)通電阻(典型值):
250 毫歐(最大)
- 輸入類型:
非反相
- 故障保護:
限流(固定),超溫,過壓
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-SOIC
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 描述:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
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