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VNS14NV04P-E集成電路（IC）的配電開關負載驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
VNS14NV04P-E |
| 參數(shù)屬性 | VNS14NV04P-E 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為集成電路（IC）的配電開關負載驅(qū)動器；產(chǎn)品描述：IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC |
| 功能描述 | OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
632.41 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
22 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 8:31:00 |
| 人工找貨 | VNS14NV04P-E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
VNS14NV04P-E規(guī)格書詳情
描述 Description
The VNS14NV04P-E is monolithic device made using STMicroelectronics? VIPower? M0 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
特性 Features
■ Linear current limitation
■ Thermal shutdown
■ Short circuit protection
■ Integrated clamp
■ Low current drawn from input pin
■ Diagnostic feedback through input pin
■ ESD protection
■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
■ Compatible with standard Power MOSFET
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
VNS14NV04P-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
集成電路（IC） > 配電開關，負載驅(qū)動器
- 系列：
OMNIFET II?, VIPower?
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）
- 輸出數(shù)：
1
- 輸出配置：
低端
- 電流 - 輸出（最大值）：
12A
- 導通電阻（典型值）：
35 毫歐
- 輸入類型：
非反相
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 供應商器件封裝：
8-SOIC
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 描述：
IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
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15000 |
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ST/意法半導體 |
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SO-8 |
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ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST/意法 |
25+ |
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