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UPA2352BT1G-E4-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPA2352BT1G-E4-A
廠商型號

UPA2352BT1G-E4-A

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

440.62 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-18 23:01:00

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UPA2352BT1G-E4-A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The μ PA2352B is a Dual N-channel MOSFET designed for

Lithium-Ion battery protection circuit.

Ecologically Flip chip MOSFET for Lithium-Ion battery Protection

(EFLIP).

FEATURES

? Monolithic Dual MOSFET

Connecting the Drains on the circuit board is not required

because the Drains of the FET1 and the FET2 are internally

connected.

? 2.5 V drive available and low on-state resistance

RSS(on)1 = 43.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, IS = 2.0 A)

RSS(on)2 = 45.0 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, IS = 2.0 A)

RSS(on)3 = 55.0 mΩ MAX. (VGS = 3.1 V, IS = 2.0 A)

RSS(on)4 = 67.0 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, IS = 2.0 A)

? Built-in G-S protection diode against ESD

? Pb-free Bump

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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