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UPA2210T1M-T2-AT中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPA2210T1M-T2-AT
廠商型號

UPA2210T1M-T2-AT

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

356.85 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 23:00:00

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UPA2210T1M-T2-AT規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The μ PA2210T1M is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for power management applications of portable equipments, such as

load switch.

FEATURES

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 29 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?7.2 A)

RDS(on)2 = 41 mΩ MAX. (VGS = ?2.5 V, ID = ?3.6 A)

RDS(on)3 = 81 mΩ MAX. (VGS = ?1.8 V, ID = ?3.6 A)

? Built-in gate protection diode

? ?1.8 V Gate drive available

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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