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UJ3C120150K3S

1200 V, 150 mohm SiC FET; ? On-resistance (RDS(on)): 150 mohm (typ)\n? Maximum operating temperature: 175 °C\n? Excellent reverse recovery\n? Low gate charge\n? Low intrinsic capacitance\n? ESD protected, HBM class 2\n;

Qorvo's UJ3C120150K3S 1200 V, 150 mohm SiC FET products co-package its high-performance Gen 3 SiC JFETs with a FET optimized MOSFET to produce the only standard gate drive SiC device in the market today. This series exhibits ultra-low gate charge, but also the best reverse recovery characteristics of any device of similar ratings. Available in the TO-247-3L package, this device exhibits ultra-low gate charge and exceptional reverse recovery characteristics, making it ideal for switching inductive loads , and any application requiring standard gate drive.\n

QorvoQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

UJ3C120150K3S

絲?。?strong>UJ3C120150K3S；Package：TO-247-3L；1200V-150mW SiC FET

UNITEDSIC

UnitedSiC.

技術(shù)參數(shù)

  • RDS(on) 典型值 @ 25C(mohm)：

    150

  • ID 最大值(A)：

    18.4

  • 代：

    Gen 3

  • Tj 最大值(°C)：

    175

  • 車規(guī)級認證：

    Yes

  • 封裝類型：

    TO-247-3L

  • RoHS：

    Yes

  • Lead Free：

    Yes

  • Halogen Free：

    Yes

  • ITAR Restricted：

    No

  • ECCN：

    EAR99

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
USCI
24+
TO-247
500
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
USCI
22+
TO-247
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價
24+
N/A
76000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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Qorvo
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9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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QORVO
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N/A
1467
原裝原裝原裝
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更多UJ3C120150K3S供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 16:36:00

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