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UHB100SC12E1BC3N

Marking:UHB100SC12E1BC3N;Package:E1B;1200V-100A SiC Half-Bridge Module

Features *ThresholdvoltageVG(th):5V(typ)allowing0to15Vdrive *On-resistance:RDS(on)=9.4mW(typ) *Operatingtemperature:150°C(max) *Excellentreverserecovery:Qrr=1000nC *Lowbodydiodevoltage:VFSD=1.4V *Lowgatecharge:QG=170nC *Lowintrinsiccapacitance *ESD

QORVOQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導體(德州)有限公司

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