描述 Description

UCC21756-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于直流工作電壓高達(dá) 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、出色的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。 UCC21756-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)通過 SiO 2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.5kV RMS 的工作電壓、12.8kV PK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏移 ，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21756-Q1 包括先進(jìn)的保護(hù)特性，如快速過流和短路檢測、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側(cè)電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性）?？梢岳酶綦x式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進(jìn)行溫度或電壓檢測，從而進(jìn)一步提高驅(qū)動器的多功能性并較少系統(tǒng)設(shè)計工作量、尺寸和成本。

特性 Features

? 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動器
? 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
? 器件溫度等級 0：-40°C 至 +150°C 環(huán)境工作溫度范圍
? 器件 HBM ESD 分類等級 3A
? 器件 CDM ESD 分類等級 C6

? 功能安全質(zhì)量管理型
? 有助于進(jìn)行功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔

? 高達(dá) 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
? 33V 最大輸出驅(qū)動電壓 (VDD-VEE)
? ±10A 驅(qū)動強(qiáng)度和分離輸出
? 150V/ns 最小 CMTI
? 具有 200ns 快速響應(yīng)時間和 5V 閾值的 DESAT 保護(hù)
? 4A 內(nèi)部有源米勒鉗位
? 發(fā)生故障時的 900mA 軟關(guān)斷
? 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
? 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管進(jìn)行溫度感應(yīng)
? 高電壓直流鏈路或相電壓

? 過流警報 FLT 和通過 RST/EN 重置
? 針對 RST/EN 的快速啟用/禁用響應(yīng)
? 抑制輸入引腳上的 8mm
? 工作結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C