描述 Description

UCC21750-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，用于具有高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高級(jí)保護(hù)功能 功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21750-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)通過(guò) SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過(guò) 40 年，并提供較低的器件間偏移、大于 150V/ns 的共模噪聲抗擾度 (CMTI)。

UCC21750-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能 功能，如快速過(guò)流和短路檢測(cè)、分流電流檢測(cè)支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側(cè)電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開(kāi)關(guān)行為）和穩(wěn)健性?？梢岳酶綦x式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進(jìn)行溫度或電壓檢測(cè)，從而進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)器的多功能性并簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。

特性 Features

? 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
? 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
? 高達(dá) 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
? 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 (VDD-VEE)
? ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
? 150V/ns 最小 CMTI
? 具有 200ns 快速響應(yīng)時(shí)間的 DESAT 保護(hù)
? 4A 內(nèi)部有源米勒鉗位
? 發(fā)生故障時(shí)的 400mA 軟關(guān)斷

? 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
? 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管的溫度感應(yīng)
? 高電壓直流鏈路或相電壓

? 過(guò)流警報(bào) FLT 和通過(guò) RST/EN 重置
? 針對(duì) RST/EN 的快速啟用/禁用響應(yīng)
? 抑制輸入引腳上的
? RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
? 具有高達(dá) 5V 的過(guò)沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出
? 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
? SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
? 工作結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C