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TS8510VB_V02

Specification of High Power IR Emitting Diode Chip

DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES ?Packagetype:chip ?Packageform:singlechip ?Technology:surfaceemitter ?Dimensionschip(LxWxH

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更多TS8510VB_V02供應(yīng)商 更新時間2025-7-15 16:55:00

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