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TS8510VB_V02中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TS8510VB_V02
廠商型號

TS8510VB_V02

功能描述

Specification of High Power IR Emitting Diode Chip

文件大小

89.42 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-15 22:30:00

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TS8510VB_V02規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TS8510VB is a high power infrared, 855 nm surface emitting

diode in GaAlAs technology with high radiant power and

high speed. Polarity configuration is “n-up”.

FEATURES

? Package type: chip

? Package form: single chip

? Technology: surface emitter

? Dimensions chip (L x W x H in mm):

0.260 x 0.260 x 0.17

? Peak wavelength: ? = 855 nm

? Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

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