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TRS10E65H中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TRS10E65H
廠商型號

TRS10E65H

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

絲印標(biāo)識

S10E65H

封裝外殼

TO-220-2L

文件大小

432.62 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
TOSHIBA
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-3 10:06:00

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Applications

? Power Factor Correction

? Solar Inverters

? Uninterruptible Power Supplies

? DC-DC Converters

特性 Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 27 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 2.0 μA (typ.)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
24+
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一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇
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