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TPC8A06-H數(shù)據(jù)手冊Toshiba中文資料規(guī)格書

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廠商型號

TPC8A06-H

功能描述

Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會社東芝

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 12:00:00

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TPC8A06-H規(guī)格書詳情

描述 Description

Application Scope:Mobile equipments / Notebook PCs
Polarity:N-ch + SBD
Generation:U-MOSⅤ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

特性 Features

Drain current ID 12 A
Power Dissipation PD 1.9 W
Drain-Source voltage VDSS 30 V

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    TPC8A06-H

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V FET 12A 1.9W 19nC 0.0129

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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