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TPC8A06-H

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

8A06

AxialGeneralPurposePlasticRectifier

FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

EF8A06

GlassPassivatedEfficientFastRecoveryRectifier

YENYOYenyo Technology Co., Ltd.

元耀科技元耀科技股份有限公司

HFR8A06

GlassPassivatedHyperfastRecoveryRectifier

YENYOYenyo Technology Co., Ltd.

元耀科技元耀科技股份有限公司

HFR8A06F

GlassPassivatedHyperfastRecoveryRe

YENYOYenyo Technology Co., Ltd.

元耀科技元耀科技股份有限公司

HFR8A06GF

GlassPassivatedHyperfastRecoveryRectifier

YENYOYenyo Technology Co., Ltd.

元耀科技元耀科技股份有限公司

HFR8A06S

GlassPassivatedHyperfastRecoveryRectifier

YENYOYenyo Technology Co., Ltd.

元耀科技元耀科技股份有限公司

HYD8A06FT

FastRecoveryEpitaxialDiode

HY

HY ELECTRONIC CORP.

HYD8A06FT

lowrecoveryloss

HY

HY ELECTRONIC CORP.

HYD8A06LFT

lowrecoveryloss

HY

HY ELECTRONIC CORP.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    TPC8A06-H

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V FET 12A 1.9W 19nC 0.0129

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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SOP-8
20300
TOSHIBA/東芝原裝特價(jià)TPC8A06-H即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
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120000
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更多TPC8A06-H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-21 18:34:00