描述 Description

希格瑪WinMOS? W3 系列MOSFET，為希格瑪?shù)诙Y(jié)高壓MOSFET，采用希格瑪最新的第二代超結(jié)工藝技術(shù)平臺設(shè)計而成，此工藝技術(shù)基于之前的Multi-epi基礎(chǔ)，采用深挖溝填充制程。通過利用這種先進的工藝技術(shù)和嚴格精準的制程控制，在保有原所有優(yōu)點的同時，獲得更低的Rdson、更低的Qg、更低的輸入輸出電容及寄生參數(shù)，可以將MOSFET的導(dǎo)通損耗和切換損耗降至更低，達到了世界級先進水平，使應(yīng)用產(chǎn)品獲得更高的效率、更小的體積、更輕的重量、更好的溫度特性，從而提高應(yīng)用產(chǎn)品的競爭力。

特性 Features

a)低導(dǎo)通電阻Rdson，降低開關(guān)損耗；
b)低柵極電荷Qg，降低切換損耗；
c)低有效輸出電容，降低切換損耗；
d)產(chǎn)品100% 制程測試；
e)大于1000小時可靠性測試；
f)100% 無鹵工藝制程；

應(yīng)用 Application

·功率因素校正
·開關(guān)式電源供應(yīng)器
·不間斷電源供應(yīng)器
·PC電源供應(yīng)器
·服務(wù)器電源供應(yīng)器
·通訊設(shè)備電源供應(yīng)器
·LED照明
·太陽能變頻器
·平板電視、顯示器
·適配器