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WinMOS? W3 系列MOSFET

希格瑪WinMOS? W3 系列MOSFET，為希格瑪?shù)诙Y(jié)高壓MOSFET，采用希格瑪最新的第二代超結(jié)工藝技術(shù)平臺(tái)設(shè)計(jì)而成，此工藝技術(shù)基于之前的Multi-epi基礎(chǔ)，采用深挖溝填充制程。通過利用這種先進(jìn)的工藝技術(shù)和嚴(yán)格精準(zhǔn)的制程控制，在保有原所有優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)，獲得更低的Rdson、更低的Qg、更低的輸入輸出電容及寄生參數(shù)，可以將MOSFET的導(dǎo)通損耗和切換損耗降至更低，達(dá)到了世界級(jí)先進(jìn)水平，使應(yīng)用產(chǎn)品獲得更高的效率、更小的體積、更輕的重量、更好的溫度特性，從而提高應(yīng)用產(chǎn)品的競爭力。 a)低導(dǎo)通電阻Rdson，降低開關(guān)損耗；\r\nb)低柵極電荷Qg，降低切換損耗；\r\nc)低有效輸出電容，降低切換損耗；\r\nd)產(chǎn)品100% 制程測試；\r\ne)大于1000小時(shí)可靠性測試；\r\nf)100% 無鹵工藝制程；;

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TRANSISTOR (NPN)

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