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TN2640N3-G中文資料微芯科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TN2640N3-G
廠商型號(hào)

TN2640N3-G

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

文件大小

1.18873 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

20 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

MICROCHIP

中文名稱

微芯科技

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 11:00:00

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TN2640N3-G規(guī)格書詳情

特性 Features

? 2V Maximum Low Threshold

? High Input Impedance

? Low Input Capacitance

? Fast Switching Speeds

? Low On-Resistance

? Free from Secondary Breakdown

? Low Input and Output Leakage

Applications

? Logic-Level Interfaces (Ideal for TTL and CMOS)

? Solid-State Relays

? Battery-Operated Systems

? Photovoltaic Drives

? Analog Switches

? General Purpose Line Drivers

? Telecommunication Switches

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    TN2640N3-G

  • 功能描述:

    MOSFET 400V 5Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INTEL/英特爾
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