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TK3P80E | Marking：TK3P80E；Package：DPAK；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.9Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA |
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