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TIP117F	文件：42.02 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES ?HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),VCE=-4V,IC=-1A. ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage. ?ComplementarytoTIP112F.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
TIP117F	文件：462.65 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
TIP117G	文件：99.95 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
TIP117G	文件：148.66 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
TIP117PNP	文件：271.16 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIPP117	文件：87.67 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PRODUCTINFORMATION Informationiscurrentasofpublicationdate.ProductsconformtospecificationsinaccordancewiththetermsofPowerInnovationsstandardwarranty.Productionprocessingdoesnotnecessarilyincludetestingofallparameters. ●20WPulsedPowerDissipation ●100VCapabi	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIPP117	文件：555.65 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●20WPulsedPowerDissipation ●100VCapability ●2AContinuousCollectorCurrent ●4APeakCollectorCurrent	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TLN117	文件：211.39 Kbytes Page：5 Pages	INFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TLN117	文件：245.23 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAINFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER Lead(Pb)-Free Opto?ElectoronicSwitches FloppyDiskDrives OpticalMice OpticalTouchSensors ?Small?side?viewepoxy?resinpackage ?Highradiantintensity:IE=0.8mW/sr(min)atIF=20mA ?Half?anglevalue:θ1/2=±15°(typ.) ?Idealforuseincombinationwiththefollowingphotodete	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TLN117A	文件：245.23 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAINFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER Lead(Pb)-Free Opto?ElectoronicSwitches FloppyDiskDrives OpticalMice OpticalTouchSensors ?Small?side?viewepoxy?resinpackage ?Highradiantintensity:IE=0.8mW/sr(min)atIF=20mA ?Half?anglevalue:θ1/2=±15°(typ.) ?Idealforuseincombinationwiththefollowingphotodete	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA

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