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TIP117

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications

TRSYS

Transys Electronics

TIP117

PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

TIP117

PLASTICPOWERTRANSISTORS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

TIP117

PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistors

Features ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4.0V,IC=1.0A(Min.) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?ComplementarytoTIP110/111/112 ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

TIP117

TO-220-PowerTransistorsandDarlingtons

RECTRON

Rectron Semiconductor

TIP117

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

TIP117

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.)

MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES ?HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),＠VCE=-4V,IC=-1A. ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage. ?ComplementarytoTIP112.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

TIP117

SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage ?ComplementtotypeTIP110/111/112 APPLICATIONS ?Forindustrialuse

SAVANTIC

Savantic, Inc.

TIP117

PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

TIP117

PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多TIL117VM供應商 更新時間2025-7-18 16:12:00

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