TF414T5G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
TF414T5G |
參數(shù)屬性 | TF414T5G 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET;產(chǎn)品描述:JFET N-CH 40V SOT883 |
功能描述 | N-Channel JFET 40V, 50 to 130A, 0.11mS, SOT-883 |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | SOT-883 / 3-XFDFN |
文件大小 |
287.78 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-15 15:00:00 |
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TF414T5G規(guī)格書詳情
TF414T5G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的TF414T5G晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢差就會增加電流流動的阻力,這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道,因此 JFET 不需要偏置電流。
特性 Features
? Small IGSS : max ?500pA (VGS= ?20V, VDS=0V)
? Small Ciss : typ 0.7pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
? Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products
? Halogen free compliance
Applications
? Impedance conversion, infrared sensor applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
TF414T5G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝:
管件
- FET 類型:
N 通道
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):
0.7pF @ 10V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
- 描述:
JFET N-CH 40V SOT883
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-883 |
6547 |
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ON(安森美) |
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ON/安森美 |
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ON(安森美) |
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SOT-883-3 |
30000 |
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onsemi |
25+ |
3-XFDFN |
9350 |
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ON |
24+ |
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SOT883 |
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