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TF414T5G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料

TF414T5G
廠商型號

TF414T5G

參數(shù)屬性

TF414T5G 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET;產(chǎn)品描述:JFET N-CH 40V SOT883

功能描述

N-Channel JFET 40V, 50 to 130A, 0.11mS, SOT-883
JFET N-CH 40V SOT883

絲印標(biāo)識

A4

封裝外殼

SOT-883 / 3-XFDFN

文件大小

287.78 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-15 15:00:00

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TF414T5G規(guī)格書詳情

TF414T5G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的TF414T5G晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢差就會增加電流流動的阻力,這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道,因此 JFET 不需要偏置電流。

特性 Features

? Small IGSS : max ?500pA (VGS= ?20V, VDS=0V)

? Small Ciss : typ 0.7pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)

? Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products

? Halogen free compliance

Applications

? Impedance conversion, infrared sensor applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    TF414T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    N 通道

  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):

    0.7pF @ 10V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-883(XDFN3)(1x0.6)

  • 描述:

    JFET N-CH 40V SOT883

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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