TF412分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
TF412 |
| 參數(shù)屬性 | TF412 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 30V 10MA SOT883 |
| 功能描述 | N-Channel JFT 30V, 1.2 to 3.0mA, 5.0mS, SOT-883 |
| 封裝外殼 | 3-XFDFN |
| 文件大小 |
296.56 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找貨 | TF412價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
TF412規(guī)格書詳情
TF412屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的TF412晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當極性的電勢差就會增加電流流動的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。
特性 Features
? Small IGSS : max ?1.0nA (VGS= ?20V, VDS=0V)
? Small Ciss : typ 4pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
? Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products
? Halogen free compliance
Applications
? Low-Frequency general-purpose amplifier,
impedance conversion, infrared sensor applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
TF412ST5G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- FET 類型：
N 通道
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：
4pF @ 10V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
- 描述：
JFET N-CH 30V 10MA SOT883
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | |||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-883 |
50000 |
原裝正品 支持實單 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
SOT-883 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
NA |
24570 |
專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價代理特價，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
SOT-883 |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
25+ |
XDFN3 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
SOT-883(XDFN3) |
15046 |
公司只做原裝正品,假一賠十 |
詢價 | ||
OMRON |
24+ |
QFP |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 |
