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TAV2-14LN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

TAV2-14LN
廠商型號

TAV2-14LN

參數(shù)屬性

TAV2-14LN 封裝/外殼為6-TDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET E-PHEMT 4V

功能描述

E-PHEMT Transistor
RF MOSFET E-PHEMT 4V

絲印標(biāo)識

MCLT214

封裝外殼

MC1630-1 / 6-TDFN 裸露焊盤

文件大小

5.64998 Mbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商

MINI

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-2 11:43:00

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TAV2-14LN規(guī)格書詳情

TAV2-14LN屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由Mini-Circuits制造生產(chǎn)的TAV2-14LN晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    TAV2-14LN+

  • 制造商:

    Mini-Circuits

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    E-pHEMT

  • 頻率:

    50MHz ~ 10GHz

  • 增益:

    23.4dB

  • 額定電流(安培):

    2μA

  • 噪聲系數(shù):

    2.5dB @ 50MHz

  • 功率 - 輸出:

    19.4dBm

  • 封裝/外殼:

    6-TDFN 裸露焊盤

  • 描述:

    RF MOSFET E-PHEMT 4V

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Mini-Circuits
638
原裝正品
詢價
原廠
原廠封裝
2087
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
詢價
MINI
三年內(nèi)
1983
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75000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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Mini-Circuits/ADI
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Mini-Circuits/ADI國外工廠訂貨渠道
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Mini-Circuits
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專業(yè)銷售MINI電子元件,常年備有大量庫存
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