TAV1-331分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
TAV1-331 |
| 參數(shù)屬性 | TAV1-331 封裝/外殼為4-SMD，無引線；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769 |
| 功能描述 | D-PHEMT Transistor |
| 封裝外殼 | 4-SMD，無引線 |
| 文件大小 |
287.12 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | MINI |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-23 18:15:00 |
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TAV1-331規(guī)格書詳情
TAV1-331屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由Mini-Circuits制造生產(chǎn)的TAV1-331晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
TAV1-331+
- 制造商：
Mini-Circuits
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
D-pHEMT
- 頻率：
4GHz
- 增益：
24.6dB
- 額定電流（安培）：
228mA
- 噪聲系數(shù)：
1dB @ 4GHz
- 功率 - 輸出：
21.3dBm
- 封裝/外殼：
4-SMD，無引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
TE2769
- 描述：
RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Mini-Circuits/ADI |
24+ |
SMA |
25500 |
Mini-Circuits/ADI國外工廠訂貨渠道 |
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Mini-Circuits |
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MINI-CIRCUITS |
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