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T1G6001528-Q3中文資料TriQuint數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

T1G6001528-Q3
廠商型號(hào)

T1G6001528-Q3

功能描述

55W, 28V, DC ??3.5GHz, GaN RF Power Transistor

文件大小

830.91 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TriQuint

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-11 18:25:00

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T1G6001528-Q3規(guī)格書(shū)詳情

General Description

The TriQuint T1G4005528-FS is a 55 W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 3.5 GHz. The device is constructed with TriQuint’s proven 0.25um production process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

Product Features

? Frequency Range: DC to 3.5 GHz

? Linear Gain: >15 dB at 3.5 GHz

? Operating Voltage: 28 V

? Output Power (P3dB): 55 W at 3.5 GHz

? Lead-free and RoHS compliant

Applications

? Military radar

? Civilian radar

? Professional and military radio communications

? Test instrumentation

? Avionics

? Wideband or narrowband amplifiers

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    T1G6001528-Q3

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類(lèi)型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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