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T1G6001528-Q3-EVB1中文資料TriQuint數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

T1G6001528-Q3-EVB1
廠商型號(hào)

T1G6001528-Q3-EVB1

功能描述

DC 6 GHz 18 W GaN RF Power Transistor

文件大小

487.11 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

TriQuint

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-11 18:25:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    T1G6001528-Q3-EVB1

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB EVAL BRD

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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