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STU7N105K5中文資料N溝道1050 V、1.4 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET,IPAK封裝數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書

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廠商型號

STU7N105K5

功能描述

N溝道1050 V、1.4 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET,IPAK封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-10 23:01:00

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STU7N105K5規(guī)格書詳情

描述 Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

特性 Features

? Industry’s lowest RDS(on) x area
? Industry’s best FoM (figure of merit)
? Ultra-low gate charge
? 100% avalanche tested
? Zener-protected

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :STU7N105K5

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :IPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :1050

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :2

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :4

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :17

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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