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STU6N60DM2中文資料N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in an IPAK package數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
STU6N60DM2 |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in an IPAK package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-11 14:19:00 |
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STU6N60DM2規(guī)格書詳情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh? DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
? Fast-recovery body diode
? Extremely low gate charge and input capacitance
? Low on-resistance
? 100% avalanche tested
? Extremely high dv/dt ruggedness
? Zener-protected
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：STU6N60DM2
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.1
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：6.2
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：60
- Qrr_typ(nC)
：135
- Peak Reverse Current_nom(A)
：4.5
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
TO-251-3 |
10000 |
只有原裝,絕對原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-251-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-251-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
STM |
19+ |
14850 |
TO-251-3 (IPAK) |
詢價(jià) | |||
ST |
1645+ |
TO251 |
200 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
原裝原裝 |
5850 |
原裝正品 現(xiàn)貨庫存價(jià)格優(yōu)勢! |
詢價(jià) | ||
STM |
19+ |
TO-251-3 (IPAK) |
14850 |
15年光格 只做原裝正品 |
詢價(jià) |
