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STU12N60M2中文資料N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書
| 廠商型號 |
STU12N60M2 |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-12 18:00:00 |
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描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh? M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
? Extremely low gate charge
? Excellent output capacitance (COSS) profile
? 100% avalanche tested
? Zener-protected
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：STU12N60M2
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.45
- Drain Current (Dc)_max(A)
：9
- PTOT_max(W)
：85
- Qg_typ(nC)
：16
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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TO-251-3 |
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原裝，正品 |
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ST/意法 |
23+ |
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