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STU10NM60N中文資料N溝道600 V、0.53 Ohm典型值、10 A MDmesh II功率MOSFET,IPAK封裝數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書

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廠商型號

STU10NM60N

功能描述

N溝道600 V、0.53 Ohm典型值、10 A MDmesh II功率MOSFET,IPAK封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-12 17:47:00

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STU10NM60N規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

? 100% avalanche tested
? Low input capacitance and gate charge
? Low gate input resistance

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :STU10NM60N

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :IPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.55

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :10

  • PTOT_max(W)

    :70

  • Qg_typ(nC)

    :19

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法半導體
24+
TO-251-3
16900
原裝,正品
詢價
STMICROEL
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