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STS3P6F6

P-channel 60 V, 0.13 Ohm typ., 3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package; R\nDS(on)* Qg industry benchmark\nExtremely low on-resistance R\nDS(on)\nHigh avalanche ruggedness\nLow gate drive power losses\n;

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.\n

STSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STS3P6F6

Low gate drive power losses

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STS3P6F6

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

STN3P6F6

P-channel60V,0.13廓typ.,3ASTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFETinaSOT-223package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    STS3P6F6

  • 功能描述：

    MOSFET P-Ch 60V 0.13 Ohm 3A STripFET VI

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    60 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.13 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SO-8

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STS3P6F6供應商 更新時間2025-7-28 20:12:00

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