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STS3P6F6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

STS3P6F6

功能描述

Low gate drive power losses

文件大小

933.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-22 12:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STS3P6F6

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch 60V 0.13 Ohm 3A STripFET VI

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    60 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.13 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SO-8

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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