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STP26NM60N中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STP26NM60N |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.135 廓 typ., 20 A MDmesh??II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages |
| 文件大小 |
1.12508 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
24 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-23 22:50:00 |
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STP26NM60N規(guī)格書詳情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET applies a new vertical structure to the company’s strip layout to yield a device with one of the world’s lowest on-resistance and gate charge, making it suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STP26NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
原盒原包裝 |
33000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
STM |
2019 |
TO220 |
23500 |
原裝正品鉆石品質(zhì)假一賠十 |
詢價 | ||
ST(意法半導體) |
2024+ |
NA |
500000 |
誠信服務,絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價 | ||
ST |
18+ |
TO-220 |
30 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST |
2450+ |
TO220 |
9485 |
只做原廠原裝正品終端客戶免費申請樣品 |
詢價 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
詢價 | ||
ST/意法 |
20+ |
TO220 |
200 |
詢價 | |||
ST/意法 |
2023+ |
SMD |
10000 |
全新原裝正品,優(yōu)勢價格 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 |
