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STP26N60M2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

STP26N60M2
廠商型號(hào)

STP26N60M2

參數(shù)屬性

STP26N60M2 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220

功能描述

N-channel 600 V, 0.14 Ω typ., 20 A MDmeshTM M2 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

804.83 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 23:00:00

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STP26N60M2規(guī)格書詳情

STP26N60M2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STP26N60M2晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

特性 Features

? Extremely low gate charge

? Excellent output capacitance (COSS) profile

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

描述 Description

These devices are N-channel Power MOSFETs

developed using MDmesh? M2 technology.

Thanks to their strip layout and improved vertical

structure, these devices exhibit low on-resistance

and optimized switching characteristics,

rendering them suitable for the most demanding

high efficiency converters.

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STP26N60M2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    MDmesh? M2

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    20A(Tc)

  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • 功率耗散(最大值):

    169W(Tc)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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