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STN1NC60

N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh??I MOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=12

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意法半導體意法半導體集團

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STN1NC60

N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh?II MOSFET

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STQ1NC60R

N-CHANNEL600V-12ohm-0.3ATO-92PowerMESH??IPowerMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY?IIprocess,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per

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STS1NC60

N-CHANNEL600V-12ohm-0.3A-SO-8PowerMESH??IMOSFET

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STN1NK80Z

ST
SOT-223

ST

詳細參數(shù)

  • 型號:

    STN1NC60

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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