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STN1NC60中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STN1NC60
廠商型號

STN1NC60

功能描述

N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh??I MOSFET

文件大小

255.95 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-2 23:01:00

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STN1NC60規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The PowerMESH?II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY?. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the leading edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness.

■ TYPICAL RDS(on) = 12?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ AC ADAPTORS AND BATTERY CHARGERS

■ SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STN1NC60

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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