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STI14NM65N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STI14NM65N
廠商型號

STI14NM65N

功能描述

N-channel 650 V, 0.33 廓, 12 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

文件大小

550.19 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-3 13:31:00

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STI14NM65N規(guī)格書詳情

描述 Description

This series of devices is designed using the second generation of MDmesh? Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest onresistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STI14NM65N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch, 650V-0.33ohms 12A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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