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STH300NH02L-6數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書

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廠商型號

STH300NH02L-6

功能描述

汽車級N溝道24 V、0.95 mOhm典型值、180 A STripFET III功率MOSFET,H2PAK-6封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 12:00:00

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STH300NH02L-6規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an N-channel enhancement mode Power MOSFET produced using STMicroelectronics’ STripFET? III technology, which is specifically designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.

特性 Features

? Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
? Conduction losses reduced
? Low profile, very low parasitic inductance, high current package

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :STH300NH02L-6

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-6

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :24

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.0015

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.0012

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :180

  • PTOT_max(W)

    :300

  • Qg_typ(nC)

    :109

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
STM
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TO-252
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原裝正品
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